IPI12CNE8N G 全国供应商、价格、PDF资料
IPI12CNE8N G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:85V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:67A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.6 毫欧 @ 67A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 83µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:64nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:4340pF @ 40V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:PG-TO262-3
- 包装:管件
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- 固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR HIGH CURRENT 15UH SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/PINS
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRU BEAM 2.2M
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
- FET - 阵列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC